на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 257.94 грн |
| 10+ | 228.22 грн |
| 100+ | 162.49 грн |
| 500+ | 138.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R6-30BL,118 Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 1268A, Power dissipation: 306W, Case: D2PAK; SOT404, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.21mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 212nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PSMN1R6-30BL,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R6-30BL,118 | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
| PSMN1R6-30BL,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1268A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 212nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
PSMN1R6-30BL,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK |
товар відсутній |
|
|
|
PSMN1R6-30BL,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK |
товар відсутній |
|
| PSMN1R6-30BL,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1268A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1268A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 212nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |