Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R6-30MLHX
PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc.

PSMN1R6-30MLH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R6-30MLHX за ціною від 44.66 грн до 166.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLHX Виробник : Nexperia PSMN1R6_30MLH-2938828.pdf MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+55.53 грн
3000+52.71 грн
9000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30MLH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.32 грн
10+102.61 грн
100+69.70 грн
500+52.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLHX Виробник : NEXPERIA psmn1r6-30mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R6-30MLH.pdf PSMN1R6-30MLHX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.