Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R6-30MLHX
PSMN1R6-30MLHX

PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc.

PSMN1R6-30MLH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+55.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PSMN1R6-30MLHX за ціною від 71.77 грн до 183.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLHX Nexperia psmn1r6-30mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 64155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+121.76 грн
500+109.58 грн
1000+101.06 грн
10000+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30MLH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.20 грн
10+112.59 грн
50+85.28 грн
100+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLHX Nexperia PSMN1R6_30MLH-2938828.pdf MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX psmn1r6-30mlh.pdf
PSMN1R6-30MLHX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 64155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+121.76 грн
500+109.58 грн
1000+101.06 грн
10000+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLH.pdf
PSMN1R6-30MLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.20 грн
10+112.59 грн
50+85.28 грн
100+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6_30MLH-2938828.pdf
PSMN1R6-30MLHX
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.