PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 36.20 грн |
| 4500+ | 30.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R6-30MLHX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN1R6-30MLHX за ціною від 44.88 грн до 159.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R6-30MLHX | Nexperia |
MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN1R6-30MLHX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 64155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN1R6-30MLHX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V |
на замовлення 5007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN1R6-30MLHX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 55.81 грн |
| 3000+ | 52.98 грн |
| 9000+ | 44.88 грн |
| PSMN1R6-30MLHX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 64155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 289+ | 124.76 грн |
| 500+ | 112.28 грн |
| 1000+ | 103.55 грн |
| 10000+ | 89.03 грн |
| PSMN1R6-30MLHX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 159.87 грн |
| 10+ | 98.90 грн |
| 50+ | 74.89 грн |
| 100+ | 63.01 грн |
| 500+ | 50.25 грн |