Продукція > NEXPERIA > PSMN1R6-30PL,127
PSMN1R6-30PL,127

PSMN1R6-30PL,127 Nexperia

4374397384376791psmn1r6-30pl.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+112.42 грн
500+108.14 грн
1000+101.93 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R6-30PL,127 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN1R6-30PL,127 за ціною від 167.02 грн до 187.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-30PL,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30PL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 12 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+170.03 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127 Виробник : NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+187.36 грн
500+177.73 грн
1000+167.02 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127 Виробник : NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+187.36 грн
500+177.73 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127 Виробник : NXP Semiconductors PSMN1R6-30PL.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 8735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
172+187.36 грн
500+177.73 грн
1000+167.02 грн
Мінімальне замовлення: 172
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127 PSMN1R6-30PL,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30PL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R6-30PL,127 Виробник : Nexperia PSMN1R6-30PL-1320675.pdf MOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.