Продукція > NEXPERIA > PSMN1R6-40YLC:115

PSMN1R6-40YLC:115 Nexperia

Виробник: Nexperia
MOSFET N-channel 40 V 1.55 mo FET

на замовлення 2725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PSMN1R6-40YLC:115 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 288W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN1R6-40YLC:115

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	PSMN1R6-40YLC:115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	PSMN1R6-40YLC:115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.