Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R7-25YLDX
PSMN1R7-25YLDX

PSMN1R7-25YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R7-25YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R7-25YLDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN1R7-25YLDX за ціною від 34.65 грн до 153.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-25YLDX Виробник : Nexperia PSMN1R7_25YLD-2938920.pdf MOSFETs PSMN1R7-25YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.30 грн
10+92.22 грн
100+60.84 грн
500+51.57 грн
1500+41.93 грн
3000+35.75 грн
9000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-25YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R7-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.59 грн
10+96.56 грн
100+65.54 грн
500+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-25YLDX Виробник : Nexperia psmn1r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-25YLDX Виробник : Nexperia psmn1r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDX PSMN1R7-25YLDX Виробник : NEXPERIA psmn1r7-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R7-25YLD.pdf PSMN1R7-25YLDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.