Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R7-30YL,115
PSMN1R7-30YL,115

PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc.

PSMN1R7-30YL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+49.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 109W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R7-30YL,115 за ціною від 44.52 грн до 234.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-30YL,115 NEXPERIA PHGLS22962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-30YL,115 Nexperia 4374391709707685psmn1r7-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+175.62 грн
500+157.94 грн
1000+146.15 грн
10000+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-30YL,115 Nexperia PSMN1R7-30YL.pdf MOSFETs PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.95 грн
10+117.78 грн
50+77.34 грн
100+69.53 грн
1500+47.93 грн
3000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-30YL,115 NEXPERIA PHGLS22962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.91 грн
10+151.19 грн
100+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115 PHGLS22962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R7-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 109W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115 4374391709707685psmn1r7-30yl.pdf
PSMN1R7-30YL,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 15120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+175.62 грн
500+157.94 грн
1000+146.15 грн
10000+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115 PSMN1R7-30YL.pdf
PSMN1R7-30YL,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.95 грн
10+117.78 грн
50+77.34 грн
100+69.53 грн
1500+47.93 грн
3000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-30YL,115 PHGLS22962-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R7-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+234.91 грн
10+151.19 грн
100+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.