Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R7-40YLDX
PSMN1R7-40YLDX

PSMN1R7-40YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R7-40YLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+64.88 грн
3000+60.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R7-40YLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 194W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 194W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції PSMN1R7-40YLDX за ціною від 82.59 грн до 293.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R7-40YLDX PSMN1R7-40YLDX NEXPERIA 2860318.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+152.22 грн
500+111.43 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDX PSMN1R7-40YLDX Nexperia USA Inc. PSMN1R7-40YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.58 грн
10+128.18 грн
50+97.81 грн
100+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDX PSMN1R7-40YLDX NEXPERIA 2860318.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.97 грн
10+201.35 грн
100+152.22 грн
500+111.43 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDX 2860318.pdf
PSMN1R7-40YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+152.22 грн
500+111.43 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDX PSMN1R7-40YLD.pdf
PSMN1R7-40YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.58 грн
10+128.18 грн
50+97.81 грн
100+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-40YLDX 2860318.pdf
PSMN1R7-40YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+293.97 грн
10+201.35 грн
100+152.22 грн
500+111.43 грн
1000+94.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.