Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R7-60BS,118
PSMN1R7-60BS,118

PSMN1R7-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN1R7-60BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+120.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R7-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN1R7-60BS,118 за ціною від 95.45 грн до 429.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+261.04 грн
100+199.91 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+263.72 грн
5+210.50 грн
10+193.73 грн
25+187.02 грн
50+175.28 грн
100+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Nexperia PSMN1R7-60BS.pdf MOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.51 грн
10+200.31 грн
100+130.29 грн
500+107.30 грн
800+96.15 грн
2400+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN1R7-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.63 грн
10+208.55 грн
100+147.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.99 грн
10+269.86 грн
100+195.08 грн
500+144.16 грн
1000+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+261.04 грн
100+199.91 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.72 грн
5+210.50 грн
10+193.73 грн
25+187.02 грн
50+175.28 грн
100+165.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+310.51 грн
10+200.31 грн
100+130.29 грн
500+107.30 грн
800+96.15 грн
2400+95.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.63 грн
10+208.55 грн
100+147.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 NEXP-S-A0003059790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1660 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1660µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+429.99 грн
10+269.86 грн
100+195.08 грн
500+144.16 грн
1000+130.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.