Продукція > NEXPERIA > PSMN1R7-60BS,118
PSMN1R7-60BS,118

PSMN1R7-60BS,118 Nexperia


3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R7-60BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00166 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN1R7-60BS,118 за ціною від 97.62 грн до 301.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2400+105.65 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2800+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 2800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R7-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+122.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+132.18 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.32 грн
5+171.66 грн
6+161.70 грн
16+153.27 грн
100+152.50 грн
250+147.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.59 грн
5+213.91 грн
6+194.04 грн
16+183.92 грн
100+183.00 грн
250+176.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00166 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.22 грн
10+207.97 грн
100+152.68 грн
500+127.98 грн
1000+97.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+285.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R7-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.49 грн
10+184.76 грн
100+149.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia PSMN1R7-60BS.pdf MOSFETs PSMN1R7-60BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 18824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.26 грн
10+198.82 грн
100+139.78 грн
250+132.42 грн
500+112.56 грн
800+109.62 грн
4800+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.