Продукція > NEXPERIA > PSMN1R7-60BS,118
PSMN1R7-60BS,118

PSMN1R7-60BS,118 Nexperia

3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R7-60BS,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00166 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PSMN1R7-60BS,118 за ціною від 100.17 грн до 289.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2400+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 2400
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2800+112.72 грн
Мінімальне замовлення: 2800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R7-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+123.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
242+126.08 грн
500+118.96 грн
1000+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 242
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.69 грн
5+173.63 грн
6+164.33 грн
16+155.03 грн
100+154.25 грн
250+148.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.43 грн
5+216.37 грн
6+197.20 грн
16+186.03 грн
100+185.10 грн
250+178.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00166 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+268.80 грн
10+195.34 грн
100+157.77 грн
500+120.15 грн
1000+100.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia PSMN1R7-60BS.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 2.1 mohm, 150 A logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 technology
на замовлення 15180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.13 грн
10+192.55 грн
100+136.18 грн
500+117.57 грн
800+107.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+285.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R7-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.78 грн
10+186.89 грн
100+151.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : NEXPERIA 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270559117222823psmn1r7-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.