на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 104.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R7-60BS,118 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00166 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN1R7-60BS,118 за ціною від 98.80 грн до 285.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 137nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 137nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.00166 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00166ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 30 V, 2.1 mohm, 150 A logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 technology |
на замовлення 15180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V |
на замовлення 4865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-60BS,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |