Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R8-30MLHX
PSMN1R8-30MLHX

PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.

PSMN1R8-30MLH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+58.11 грн
3000+52.67 грн
7500+50.17 грн
10500+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R8-30MLHX за ціною від 25.57 грн до 132.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Виробник : Nexperia PSMN1R8-30MLH.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 150A
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.19 грн
10+61.15 грн
100+43.04 грн
500+35.32 грн
1000+30.94 грн
1500+28.97 грн
9000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30MLH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.56 грн
10+104.17 грн
100+81.04 грн
500+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX Виробник : NEXPERIA psmn1r8-30mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R8-30MLH.pdf PSMN1R8-30MLHX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.