PSMN1R8-30MLHX

PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.


PSMN1R8-30MLH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 19500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.51 грн
3000+51.23 грн
7500+48.79 грн
10500+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R8-30MLHX за ціною від 34.28 грн до 128.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Виробник : Nexperia PSMN1R8-30MLH.pdf MOSFETs PSMN1R8-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.77 грн
100+61.08 грн
500+37.15 грн
1000+35.17 грн
1500+35.09 грн
3000+34.94 грн
24000+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30MLH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.92 грн
10+101.31 грн
100+78.82 грн
500+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX Виробник : NEXPERIA psmn1r8-30mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R8-30MLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R8-30MLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 110A; Idm: 624A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 110A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Pulsed drain current: 624A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.