Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R8-30MLHX
PSMN1R8-30MLHX

PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.

PSMN1R8-30MLH.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+55.60 грн
3000+50.41 грн
7500+48.00 грн
10500+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R8-30MLHX за ціною від 27.91 грн до 148.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Nexperia psmn1r8-30mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 22291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+121.70 грн
500+109.53 грн
1000+101.01 грн
10000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30MLH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.85 грн
10+99.68 грн
100+77.55 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLHX Nexperia PSMN1R8-30MLH.pdf MOSFETs PSMN1R8-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+148.97 грн
10+84.44 грн
100+65.78 грн
500+52.19 грн
1000+32.59 грн
1500+31.63 грн
3000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX psmn1r8-30mlh.pdf
PSMN1R8-30MLHX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 22291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
301+121.70 грн
500+109.53 грн
1000+101.01 грн
10000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLH.pdf
PSMN1R8-30MLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.85 грн
10+99.68 грн
100+77.55 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-30MLHX PSMN1R8-30MLH.pdf
PSMN1R8-30MLHX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN1R8-30MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.97 грн
10+84.44 грн
100+65.78 грн
500+52.19 грн
1000+32.59 грн
1500+31.63 грн
3000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.