PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 55.15 грн |
| 3000+ | 50.00 грн |
| 7500+ | 47.61 грн |
| 10500+ | 42.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R8-30MLHX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN1R8-30MLHX за ціною від 27.61 грн до 149.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R8-30MLHX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 22291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN1R8-30MLHX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V |
на замовлення 20992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PSMN1R8-30MLHX | Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| PSMN1R8-30MLHX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 22291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 301+ | 118.03 грн |
| 500+ | 106.23 грн |
| 1000+ | 97.96 грн |
| 10000+ | 84.23 грн |
| PSMN1R8-30MLHX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3125 pF @ 15 V
на замовлення 20992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.81 грн |
| 10+ | 98.87 грн |
| 100+ | 76.92 грн |
| 500+ | 61.18 грн |
| PSMN1R8-30MLHX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.80 грн |
| 10+ | 96.85 грн |
| 100+ | 56.88 грн |
| 500+ | 45.36 грн |
| 1500+ | 27.61 грн |