Продукція > NEXPERIA > PSMN1R8-30PL,127
PSMN1R8-30PL,127

PSMN1R8-30PL,127 Nexperia

4380827652647641psmn1r8-30pl.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+97.72 грн
10+ 94.03 грн
100+ 87.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R8-30PL,127 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 270W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN1R8-30PL,127 за ціною від 92.98 грн до 259.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30PL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 12 V
на замовлення 4946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.79 грн
10+ 170.92 грн
100+ 138.24 грн
500+ 115.32 грн
1000+ 98.74 грн
2000+ 92.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Виробник : Nexperia PSMN1R8_30PL-2938770.pdf MOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 9574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.97 грн
10+ 182.27 грн
50+ 119.2 грн
100+ 109.88 грн
250+ 109.21 грн
500+ 104.55 грн
1000+ 95.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+259.97 грн
10+ 186.76 грн
50+ 174.06 грн
100+ 149.14 грн
500+ 122.3 грн
1000+ 101.81 грн
2500+ 98.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Виробник : NEXPERIA 4380827652647641psmn1r8-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Виробник : NEXPERIA PSMN1R8-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1120A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1120A
Power dissipation: 270W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Виробник : Nexperia 4380827652647641psmn1r8-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Виробник : NEXPERIA PSMN1R8-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1120A; 270W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1120A
Power dissipation: 270W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній