PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc.


PSMN1R8-40YLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+49.55 грн
3000+44.36 грн
4500+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, Verlustleistung: 272W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції PSMN1R8-40YLC,115 за ціною від 47.59 грн до 259.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia 3013375344639710psmn1r8-40ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia 3013375344639710psmn1r8-40ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia PSMN1R8-40YLC.pdf MOSFETs N-channel 40 V 1.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.37 грн
10+103.36 грн
100+70.37 грн
500+59.08 грн
1000+53.58 грн
1500+48.14 грн
3000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia 3013375344639710psmn1r8-40ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.79 грн
500+135.54 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R8-40YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.16 грн
100+68.09 грн
500+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC,115 NEXPERIA PHGLS25287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.30 грн
10+168.26 грн
100+104.04 грн
500+80.01 грн
1000+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 3013375344639710psmn1r8-40ylc.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 3013375344639710psmn1r8-40ylc.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs N-channel 40 V 1.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.37 грн
10+103.36 грн
100+70.37 грн
500+59.08 грн
1000+53.58 грн
1500+48.14 грн
3000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 3013375344639710psmn1r8-40ylc.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
246+143.79 грн
500+135.54 грн
1000+128.47 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PSMN1R8-40YLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
на замовлення 5658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.25 грн
10+100.16 грн
100+68.09 грн
500+51.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-40YLC,115 PHGLS25287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+259.30 грн
10+168.26 грн
100+104.04 грн
500+80.01 грн
1000+68.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.