PSMN1R8-80SSFJ

PSMN1R8-80SSFJ Nexperia USA Inc.


PSMN1R8-80SSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
на замовлення 1751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.27 грн
10+379.20 грн
100+293.90 грн
500+239.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R8-80SSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN1R8-80SSFJ за ціною від 243.33 грн до 516.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R8-80SSFJ PSMN1R8-80SSFJ Виробник : Nexperia PSMN1R8_80SSF-3084387.pdf MOSFET MOS DISCRETES
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.56 грн
10+427.88 грн
25+351.23 грн
100+301.38 грн
250+284.26 грн
500+267.89 грн
1000+243.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R8-80SSF.pdf PSMN1R8-80SSFJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJ PSMN1R8-80SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R8-80SSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.