PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 416.01 грн |
| 50+ | 363.31 грн |
| 100+ | 295.67 грн |
| 250+ | 289.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PSMN1R8-80SSFJ за ціною від 223.80 грн до 629.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R8-80SSFJ | Виробник : Nexperia |
MOSFET MOS DISCRETES |
на замовлення 1803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R8-80SSFJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-80SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1350 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN1R8-80SSFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN1R8-80SSFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15319 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |