Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R9-40YSDX
PSMN1R9-40YSDX

PSMN1R9-40YSDX Nexperia USA Inc.

PSMN1R9-40YSD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.37 грн
10+103.69 грн
100+73.97 грн
500+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R9-40YSDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN1R9-40YSDX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R9-40YSDX Виробник : NEXPERIA psmn1r9-40ysd.pdf N-channel 40 V, 120 A standard level MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDX Виробник : NEXPERIA PSMN1R9-40YSD.pdf PSMN1R9-40YSDX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDX PSMN1R9-40YSDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R9-40YSD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6198 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-40YSDX PSMN1R9-40YSDX Виробник : Nexperia PSMN1R9-40YSD-1713982.pdf MOSFET PSMN1R9-40YSD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.