PSMN1R9-80SSEJ

PSMN1R9-80SSEJ Nexperia USA Inc.


PSMN1R9-80SSE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+192.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R9-80SSEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PSMN1R9-80SSEJ за ціною від 196.45 грн до 674.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R9-80SSEJ PSMN1R9-80SSEJ Виробник : Nexperia PSMN1R9_80SSE-3084406.pdf MOSFETs MOS DISCRETES
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.07 грн
10+385.95 грн
100+271.61 грн
500+241.84 грн
1000+206.87 грн
2000+196.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJ PSMN1R9-80SSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R9-80SSE.pdf Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.12 грн
10+308.82 грн
100+227.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJ PSMN1R9-80SSEJ Виробник : NEXPERIA 3917586.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+545.10 грн
25+483.33 грн
100+389.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJ PSMN1R9-80SSEJ Виробник : NEXPERIA 3917586.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+674.49 грн
10+545.10 грн
25+483.33 грн
100+389.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJ Виробник : NEXPERIA psmn1r9-80sse.pdf N-Channel 80 V, 1.9 mOhm MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSEJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R9-80SSE.pdf PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.