PSMN1R9-80SSEJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 190.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R9-80SSEJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PSMN1R9-80SSEJ за ціною від 194.22 грн до 666.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN1R9-80SSEJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs MOS DISCRETES |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R9-80SSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 286A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17140 pF @ 40 V |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R9-80SSEJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R9-80SSEJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 0.0016 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN1R9-80SSEJ | Виробник : NEXPERIA |
N-Channel 80 V, 1.9 mOhm MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| PSMN1R9-80SSEJ | Виробник : NEXPERIA |
PSMN1R9-80SSEJ SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |