PSMN2R0-25MLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 33.17 грн |
| 3000+ | 30.07 грн |
| 7500+ | 28.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-25MLDX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN2R0-25MLDX за ціною від 19.68 грн до 75.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN2R0-25MLD/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 3012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V |
на замовлення 11584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN2R0-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 70A Pulsed drain current: 555A Power dissipation: 74W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN2R0-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 70A Pulsed drain current: 555A Power dissipation: 74W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |