
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
742+ | 16.53 грн |
754+ | 16.28 грн |
766+ | 16.02 грн |
779+ | 15.20 грн |
791+ | 13.84 грн |
1000+ | 13.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-25MLDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN2R0-25MLDX за ціною від 14.00 грн до 37.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V |
на замовлення 11493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 70A Pulsed drain current: 555A Power dissipation: 74W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
PSMN2R0-25MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 70A Pulsed drain current: 555A Power dissipation: 74W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34.4nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |