PSMN2R0-30PL,127 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V
на замовлення 9203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.43 грн |
| 50+ | 141.8 грн |
| 100+ | 116.67 грн |
| 500+ | 92.65 грн |
| 1000+ | 78.61 грн |
| 2000+ | 74.68 грн |
| 5000+ | 70.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-30PL,127 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm.
Інші пропозиції PSMN2R0-30PL,127 за ціною від 73.18 грн до 207.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm |
на замовлення 7884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |