PSMN2R0-30PL,127 NXP Semiconductors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 211.68 грн |
| 500+ | 201.10 грн |
| 1000+ | 189.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-30PL,127 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN2R0-30PL,127 за ціною від 87.94 грн до 249.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : Nexperia |
 MOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN2R0-30PL.127 THT N channel transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PSMN2R0-30PL,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |