Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PSMN2R0-30PL,127
PSMN2R0-30PL,127

PSMN2R0-30PL,127 NXP Semiconductors

4374880954357713psmn2r0-30pl.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+109.54 грн
500+105.49 грн
1000+99.15 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R0-30PL,127 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN2R0-30PL,127 за ціною від 80.45 грн до 228.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.02 грн
8+114.67 грн
22+108.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.46 грн
3+181.96 грн
8+137.61 грн
22+130.27 грн
250+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Виробник : Nexperia PSMN2R0_30PL-2938882.pdf MOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.63 грн
10+143.48 грн
100+108.62 грн
500+99.08 грн
1000+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.05 грн
10+139.96 грн
100+121.85 грн
500+103.21 грн
1000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Виробник : NEXPERIA 4374880954357713psmn2r0-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30PL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.