PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.08 грн |
| 10+ | 131.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 211W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN2R0-30PL,127 за ціною від 211.44 грн до 236.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R0-30PL,127 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia |
MOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P |
на замовлення 2588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 211W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 236.25 грн |
| 500+ | 224.44 грн |
| 1000+ | 211.44 грн |
| PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P
MOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





