на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 45.64 грн |
| 25+ | 45.19 грн |
| 100+ | 43.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-30YL,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 12 V.
Інші пропозиції PSMN2R0-30YL,115 за ціною від 35.85 грн до 109.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 12 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 4929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 12 V |
на замовлення 20294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 667A Power dissipation: 97W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| PSMN2R0-30YL,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 667A Power dissipation: 97W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |