Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R0-30YLE,115
PSMN2R0-30YLE,115

PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-30YLE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 272W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції PSMN2R0-30YLE,115 за ціною від 47.29 грн до 286.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.81 грн
10+87.25 грн
25+80.60 грн
100+76.45 грн
250+69.80 грн
500+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.21 грн
10+104.54 грн
25+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.39 грн
100+73.40 грн
500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia PSMN2R0-30YLE.pdf MOSFETs PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK
на замовлення 6238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+115.11 грн
100+68.90 грн
500+54.95 грн
1000+48.39 грн
1500+47.63 грн
9000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.72 грн
10+185.24 грн
100+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.81 грн
10+87.25 грн
25+80.60 грн
100+76.45 грн
250+69.80 грн
500+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 psmn2r0-30yle.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.21 грн
10+104.54 грн
25+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.97 грн
10+107.39 грн
100+73.40 грн
500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK
на замовлення 6238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.02 грн
10+115.11 грн
100+68.90 грн
500+54.95 грн
1000+48.39 грн
1500+47.63 грн
9000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 NEXP-S-A0003060005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+286.72 грн
10+185.24 грн
100+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 psmn2r0-30yle.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.