Продукція > NEXPERIA > PSMN2R0-30YLE,115
PSMN2R0-30YLE,115

PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA

psmn2r0-30yle.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN2R0-30YLE,115 за ціною від 45.93 грн до 196.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+58.14 грн
25+57.23 грн
100+54.30 грн
250+49.47 грн
500+46.71 грн
1000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.61 грн
198+61.63 грн
201+60.65 грн
250+57.54 грн
500+52.40 грн
1000+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+102.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.67 грн
10+91.74 грн
14+66.51 грн
38+62.69 грн
250+61.92 грн
500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.43 грн
10+102.09 грн
100+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia PSMN2R0-30YLE.pdf MOSFETs PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.69 грн
10+111.41 грн
100+71.85 грн
250+71.12 грн
500+59.81 грн
1000+59.30 грн
1500+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.00 грн
10+114.32 грн
14+79.81 грн
38+75.23 грн
250+74.31 грн
500+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.89 грн
10+122.24 грн
100+83.77 грн
500+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 Виробник : Nexperia psmn2r0-30yle.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.