PSMN2R0-55YLHX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 0.00163 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 133.38 грн |
| 500+ | 121.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R0-55YLHX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 0.00163 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower-S3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm.
Інші пропозиції PSMN2R0-55YLHX за ціною від 116.91 грн до 260.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 0.00163 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower-S3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS |
на замовлення 4777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V |
на замовлення 19234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN2R0-55YLHX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |