Продукція > NEXPERIA > PSMN2R1-30YLEX
PSMN2R1-30YLEX

PSMN2R1-30YLEX Nexperia

psmn2r1-30yle.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
212+166.25 грн
500+149.86 грн
1000+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R1-30YLEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN2R1-30YLEX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R1-30YLEX PSMN2R1-30YLEX NEXPERIA 3791082.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEX PSMN2R1-30YLEX Nexperia PSMN2R1-30YLE.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 160A
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEX PSMN2R1-30YLEX NEXPERIA 3791082.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEX 3791082.pdf
PSMN2R1-30YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEX PSMN2R1-30YLE.pdf
PSMN2R1-30YLEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 160A
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEX 3791082.pdf
PSMN2R1-30YLEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.