Продукція > NEXPERIA > PSMN2R2-30YLC,115
PSMN2R2-30YLC,115

PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia

4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 141W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN2R2-30YLC,115 за ціною від 26.42 грн до 355.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.77 грн
3000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.95 грн
500+56.07 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN2R2-30YLC.pdf MOSFETs PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.52 грн
10+67.80 грн
100+40.69 грн
500+33.14 грн
1500+29.14 грн
3000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
на замовлення 15315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.02 грн
10+78.56 грн
50+58.63 грн
100+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.96 грн
10+92.31 грн
100+62.33 грн
500+49.46 грн
1000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.39 грн
10+220.18 грн
100+149.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.67 грн
10+274.38 грн
100+179.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Виробник : Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.