Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R2-30YLC,115
PSMN2R2-30YLC,115

PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc.

PSMN2R2-30YLC.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+29.91 грн
3000+26.55 грн
4500+25.41 грн
7500+22.64 грн
10500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 141W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PSMN2R2-30YLC,115 за ціною від 23.40 грн до 153.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.35 грн
500+46.82 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R2-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
на замовлення 12391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+63.87 грн
100+42.46 грн
500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+107.86 грн
500+97.08 грн
1000+89.53 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 Nexperia PSMN2R2-30YLC.pdf MOSFETs PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.53 грн
10+68.04 грн
100+39.35 грн
500+30.86 грн
1000+26.72 грн
1500+24.58 грн
3000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.81 грн
10+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.03 грн
10+96.65 грн
100+64.35 грн
500+46.82 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+64.35 грн
500+46.82 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 141W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3310 pF @ 15 V
на замовлення 12391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.85 грн
10+63.87 грн
100+42.46 грн
500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 4376258746838366psmn2r2-30ylc.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
329+107.86 грн
500+97.08 грн
1000+89.53 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN2R2-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.53 грн
10+68.04 грн
100+39.35 грн
500+30.86 грн
1000+26.72 грн
1500+24.58 грн
3000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.81 грн
10+102.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1800 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.49V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+153.03 грн
10+96.65 грн
100+64.35 грн
500+46.82 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.