Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R3-80SSFJ
PSMN2R3-80SSFJ

PSMN2R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.

PSMN2R3-80SSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.59 грн
10+268.29 грн
100+216.13 грн
500+176.45 грн
1000+151.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN2R3-80SSFJ за ціною від 166.26 грн до 375.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R3-80SSFJ PSMN2R3-80SSFJ Виробник : Nexperia PSMN2R3-80SSF.pdf MOSFETs PSMN2R3-80SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.08 грн
10+310.49 грн
25+230.27 грн
100+217.76 грн
250+208.20 грн
500+194.22 грн
1000+166.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFJ Виробник : NEXPERIA psmn2r3-80ssf.pdf Next Power 80 V, 2.3 m Ohm, 190 Amp, N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R3-80SSFJ PSMN2R3-80SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R3-80SSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.