PSMN2R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 353.59 грн |
| 10+ | 275.30 грн |
| 100+ | 221.77 грн |
| 500+ | 181.06 грн |
| 1000+ | 155.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R3-80SSFJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN2R3-80SSFJ за ціною від 120.03 грн до 368.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R3-80SSFJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NextPower 80 V, 2.3 mOhm, 240 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN2R3-80SSFJ | Виробник : NEXPERIA |
Next Power 80 V, 2.3 m Ohm, 190 Amp, N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
PSMN2R3-80SSFJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN2R3-80SSFJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN2R3-80SSFJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |