Технічний опис PSMN2R4-30MLDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 91W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN2R4-30MLDX за ціною від 21.38 грн до 91.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R4-30MLDX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN2R4-30MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN2R4-30MLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 70A |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN2R4-30MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 15 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN2R4-30MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
PSMN2R4-30MLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PSMN2R4-30MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3264 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PSMN2R4-30MLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 70A; Idm: 580A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: NextPowerS3 |
товару немає в наявності |