Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R5-30YL,115
PSMN2R5-30YL,115

PSMN2R5-30YL,115 Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-30YL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R5-30YL,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V.

Інші пропозиції PSMN2R5-30YL,115 за ціною від 30.75 грн до 115.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-30YL,115 Виробник : Nexperia PSMN2R5_30YL-2939052.pdf MOSFET PSMN2R5-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.19 грн
10+71.15 грн
100+48.22 грн
500+40.81 грн
1000+36.26 грн
1500+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-30YL,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R5-30YL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 12 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.91 грн
10+73.47 грн
100+50.31 грн
500+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-30YL,115 Виробник : NEXPERIA 4374499069662949psmn2r5-30yl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-30YL,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R5-30YL.pdf PSMN2R5-30YL.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.