Продукція > NEXPERIA > PSMN2R5-60PLQ

PSMN2R5-60PLQ Nexperia


PSMN2R5_60PL-2939095.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN2R5-60PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.39 грн
10+221.50 грн
50+181.56 грн
100+156.02 грн
250+147.04 грн
500+138.76 грн
1000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R5-60PLQ Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V.

Інші пропозиції PSMN2R5-60PLQ за ціною від 330.07 грн до 330.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN2R5-60PL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.