на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 458.85 грн |
| 10+ | 316.00 грн |
| 100+ | 221.94 грн |
| 500+ | 197.03 грн |
| 1000+ | 191.74 грн |
| 2000+ | 162.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R5-80SSEJ Nexperia
Description: POWERMOS ASFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN2R5-80SSEJ за ціною від 230.11 грн до 527.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R5-80SSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: POWERMOS ASFETSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PSMN2R5-80SSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: POWERMOS ASFETS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1235 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |