Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R5-80SSEJ
PSMN2R5-80SSEJ

PSMN2R5-80SSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-80SSE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.92 грн
10+344.95 грн
50+272.08 грн
100+233.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R5-80SSEJ Nexperia USA Inc.

Description: POWERMOS ASFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN2R5-80SSEJ за ціною від 186.01 грн до 578.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R5-80SSEJ PSMN2R5-80SSEJ Виробник : Nexperia PSMN2R5-80SSE.pdf MOSFETs PSMN2R5-80SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.71 грн
10+382.06 грн
50+261.80 грн
100+239.60 грн
1000+191.37 грн
2000+186.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJ PSMN2R5-80SSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R5-80SSE.pdf Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.