Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R5-80SSEJ
PSMN2R5-80SSEJ

PSMN2R5-80SSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-80SSE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13485 pF @ 40 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.02 грн
10+282.47 грн
100+203.60 грн
500+159.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R5-80SSEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN2R5-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2500 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 341W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.

Інші пропозиції PSMN2R5-80SSEJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R5-80SSEJ PSMN2R5-80SSEJ Nexperia PSMN2R5-80SSE.pdf MOSFETs PSMN2R5-80SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJ PSMN2R5-80SSEJ NEXPERIA 4395794.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R5-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2500 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJ PSMN2R5-80SSEJ NEXPERIA 4395794.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R5-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2500 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJ PSMN2R5-80SSE.pdf
PSMN2R5-80SSEJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN2R5-80SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJ 4395794.pdf
PSMN2R5-80SSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R5-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2500 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-80SSEJ 4395794.pdf
PSMN2R5-80SSEJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R5-80SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2500 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.