Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R6-100SSFJ
PSMN2R6-100SSFJ

PSMN2R6-100SSFJ Nexperia USA Inc.

PSMN2R6-100SSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+155.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-100SSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN2R6-100SSFJ за ціною від 146.62 грн до 363.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R6-100SSFJ PSMN2R6-100SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R6-100SSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.44 грн
10+261.32 грн
100+209.20 грн
500+170.69 грн
1000+146.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJ PSMN2R6-100SSFJ Виробник : Nexperia PSMN2R6-100SSF.pdf MOSFETs PSMN2R6-100SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.06 грн
10+300.34 грн
25+222.18 грн
100+211.14 грн
250+201.58 грн
500+188.33 грн
1000+161.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-100SSFJ Виробник : NEXPERIA PSMN2R6-100SSF.pdf NextPower 100 V, 2.6 m, 200 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.