PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00235 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.41 грн |
| 500+ | 24.91 грн |
| 1000+ | 22.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00235 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN2R6-30YLC,115 за ціною від 19.92 грн до 103.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2350 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN2R6-30YLC/SOT669/LFPAK |
на замовлення 5481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V |
на замовлення 1371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : NXP |
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PSMN2R6-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 575A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 575A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |