Продукція > NEXPERIA > PSMN2R6-30YLC,115
PSMN2R6-30YLC,115

PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA


NEXP-S-A0003059724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00235 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.78 грн
500+25.21 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00235 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN2R6-30YLC,115 за ціною від 23.17 грн до 48.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00235 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.23 грн
24+35.16 грн
100+34.66 грн
500+28.97 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R6-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
10+34.56 грн
100+32.12 грн
500+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN2R6_30YLC-2938772.pdf MOSFET PSMN2R6-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.67 грн
10+41.03 грн
100+30.31 грн
500+28.47 грн
1000+27.00 грн
1500+24.65 грн
3000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA 4381282004570695psmn2r6-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN2R6-30YLC.pdf PSMN2R6-30YLC.115 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R6-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2435 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.