Продукція > NEXPERIA > PSMN2R6-40YS,115
PSMN2R6-40YS,115

PSMN2R6-40YS,115 Nexperia

4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.87 грн
44+17.20 грн
45+16.32 грн
50+14.87 грн
100+14.04 грн
250+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-40YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 131W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

Інші пропозиції PSMN2R6-40YS,115 за ціною від 47.84 грн до 310.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R6-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 34604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+105.60 грн
100+72.32 грн
500+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.46 грн
500+154.74 грн
1000+142.93 грн
10000+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia PSMN2R6-40YS.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.80 грн
10+114.32 грн
100+67.65 грн
500+54.26 грн
1500+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 131W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.88 грн
10+201.35 грн
100+124.84 грн
500+96.48 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS,115 Nexperia 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V
на замовлення 34604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.08 грн
10+105.60 грн
100+72.32 грн
500+54.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+172.46 грн
500+154.74 грн
1000+142.93 грн
10000+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 PSMN2R6-40YS.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.80 грн
10+114.32 грн
100+67.65 грн
500+54.26 грн
1500+47.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 NEXP-S-A0003059568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 131W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+310.88 грн
10+201.35 грн
100+124.84 грн
500+96.48 грн
1000+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-40YS,115 4380945035041147psmn2r6-40ys.pdf
PSMN2R6-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.