PSMN2R6-60PSQ NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 86+ | 233.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R6-60PSQ NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN2R6-60PSQ за ціною від 103.43 грн до 286.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R6-60PSQ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN2R6-60PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R6-60PSQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R6-60PSQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 4826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R6-60PSQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R6-60PSQ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN2R6-60PSQ | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PSMN2R6-60PSQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PSMN2R6-60PSQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 961A; 326W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 150A Pulsed drain current: 961A Power dissipation: 326W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |