Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R6-80YSFX
PSMN2R6-80YSFX

PSMN2R6-80YSFX Nexperia USA Inc.

PSMN2R6-80YSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.45 грн
10+99.71 грн
25+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-80YSFX Nexperia USA Inc.

Description: PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 294W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN2R6-80YSFX за ціною від 59.79 грн до 219.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX Виробник : Nexperia PSMN2R6-80YSF.pdf MOSFETs NextPower 80 V, 2.4 mOhm, 231 A, N-channel MOSFET in LFPAK56E package
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.30 грн
10+139.77 грн
100+86.06 грн
500+72.70 грн
1000+70.73 грн
1500+60.09 грн
3000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX Виробник : Nexperia psmn2r6-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX Виробник : NEXPERIA psmn2r6-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 231A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX Виробник : Nexperia psmn2r6-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 231A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-80YSFX PSMN2R6-80YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R6-80YSF.pdf Description: PSMN2R6-80YSF/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 231A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.