PSMN2R8-40BS,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA PSMN2R8-40BS - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R8-40BS,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V.
Інші пропозиції PSMN2R8-40BS,118 за ціною від 95.15 грн до 185.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN2R8-40BS,118 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V |
на замовлення 6867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PSMN2R8-40BS,118 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PSMN2R8-40BS,118 | Nexperia |
MOSFET Std N-chanMOSFET |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| PSMN2R8-40BS,118 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PSMN2R8-40BS,118 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| PSMN2R8-40BS,118 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN2R8-40BS,118 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 134.78 грн |
| PSMN2R8-40BS,118 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 183.87 грн |
| 500+ | 174.44 грн |
| 1000+ | 163.83 грн |
| PSMN2R8-40BS,118 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET Std N-chanMOSFET
MOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 185.84 грн |
| 10+ | 165.35 грн |
| 100+ | 115.59 грн |
| 500+ | 95.15 грн |
| PSMN2R8-40BS,118 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 183.87 грн |
| 500+ | 174.44 грн |
| 1000+ | 163.83 грн |
| PSMN2R8-40BS,118 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 183.87 грн |
| 500+ | 174.44 грн |
| PSMN2R8-40BS,118 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 193+ | 183.87 грн |