Продукція > NEXPERIA > PSMN2R8-40BS,118
PSMN2R8-40BS,118

PSMN2R8-40BS,118 Nexperia

PSMN2R8_40BS-1510817.pdf Виробник: Nexperia
MOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.97 грн
10+172.59 грн
100+120.65 грн
500+99.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R8-40BS,118 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN2R8-40BS,118 за ціною від 100.68 грн до 100.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R8-40BS,118 Виробник : NXP PHGLS24327-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - PSMN2R8-40BS,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40BS,118 Виробник : NEXPERIA 3012870708435282psmn2r8-40bs.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R8-40BS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.