Продукція > NEXPERIA > PSMN2R8-40YSBX

PSMN2R8-40YSBX Nexperia

Name: PSMN2R8-40YSBX
Brand: Nexperia
SKU: 25613363-4
Price: 380.16 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N CHAN 40V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	95.04 грн
10+	62.71 грн
100+	38.02 грн
500+	30.53 грн
1500+	25.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PSMN2R8-40YSBX Nexperia

Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN2R8-40YSBX

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PSMN2R8-40YSBX	Виробник : Nexperia	Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN2R8-40YSBX	Виробник : Nexperia	Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN2R8-40YSBX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PSMN2R8-40YSBX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.