Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R8-40YSDX
PSMN2R8-40YSDX

PSMN2R8-40YSDX Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-40YSD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R8-40YSDX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN2R8-40YSDX за ціною від 33.40 грн до 130.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSDX Nexperia psmn2r8-40ysd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+97.77 грн
500+87.99 грн
1000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSDX Nexperia psmn2r8-40ysd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.43 грн
10+81.55 грн
100+56.09 грн
500+38.69 грн
1500+35.13 грн
3000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSDX Nexperia USA Inc. PSMN2R8-40YSD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+79.87 грн
100+53.62 грн
500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSDX Nexperia PSMN2R8-40YSD.pdf MOSFETs PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX psmn2r8-40ysd.pdf
PSMN2R8-40YSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
363+97.77 грн
500+87.99 грн
1000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX psmn2r8-40ysd.pdf
PSMN2R8-40YSDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+119.43 грн
10+81.55 грн
100+56.09 грн
500+38.69 грн
1500+35.13 грн
3000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSD.pdf
PSMN2R8-40YSDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.47 грн
10+79.87 грн
100+53.62 грн
500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDX PSMN2R8-40YSD.pdf
PSMN2R8-40YSDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.