на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN2R8-40YSDX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V.
Інші пропозиції PSMN2R8-40YSDX за ціною від 26.32 грн до 166.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN2R8-40YSDX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R8-40YSDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R8-40YSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN2R8-40YSDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN2R8-40YSDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V |
на замовлення 3741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PSMN2R8-40YSDX | Виробник : NEXPERIA |
N-Channel 40 V, 120 A standard level MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PSMN2R8-40YSDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN2R8-40YSDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Pulsed drain current: 658A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PSMN2R8-40YSDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Pulsed drain current: 658A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 |
товару немає в наявності |