Продукція > NEXPERIA > PSMN2R8-80BS,118
PSMN2R8-80BS,118

PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA

NEXP-S-A0003059791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
на замовлення 7649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+138.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm.

Інші пропозиції PSMN2R8-80BS,118 за ціною від 101.58 грн до 242.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+145.32 грн
1600+ 119.82 грн
2400+ 112.82 грн
5600+ 101.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
на замовлення 7609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+229.17 грн
10+ 162.52 грн
100+ 138.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 40670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.49 грн
10+ 194.58 грн
100+ 157.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS,118 Виробник : Nexperia PSMN2R8_80BS-2938993.pdf MOSFET PSMN2R8-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.23 грн
10+ 203.46 грн
25+ 164.23 грн
100+ 141.53 грн
250+ 138.86 грн
500+ 132.19 грн
800+ 104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN2R8-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN2R8-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 139nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN2R8-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN2R8-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 139nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній