PSMN2R8-80BS,118 Nexperia USA Inc.


PSMN2R8-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+122.74 грн
1600+110.71 грн
2400+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R8-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN2R8-80BS,118 за ціною від 99.41 грн до 331.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS,118 Nexperia PSMN2R8-80BS.pdf MOSFETs PSMN2R8-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.60 грн
10+213.56 грн
100+135.31 грн
500+110.45 грн
800+99.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 7151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
10+211.65 грн
100+150.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN2R8-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.60 грн
10+213.56 грн
100+135.31 грн
500+110.45 грн
800+99.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 7151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.62 грн
10+211.65 грн
100+150.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.