PSMN2R9-100SSEJ

PSMN2R9-100SSEJ Nexperia USA Inc.


Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.23 грн
10+289.52 грн
100+234.15 грн
500+190.54 грн
1000+163.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R9-100SSEJ Nexperia USA Inc.

Description: POWERMOS ASFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN2R9-100SSEJ за ціною від 179.51 грн до 405.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN2R9-100SSEJ PSMN2R9-100SSEJ Виробник : Nexperia MOSFETs PSMN2R9-100SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.97 грн
10+335.88 грн
25+248.66 грн
100+236.15 грн
250+225.12 грн
500+209.67 грн
1000+179.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJ Виробник : NEXPERIA N-channel 100 V, 2.9 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJ PSMN2R9-100SSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.