Технічний опис PSMN2R9-25YLC,115 NXP USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 517A; 92W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 25V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 517A, Power dissipation: 92W, Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 33nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції PSMN2R9-25YLC,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R9-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
PSMN2R9-25YLC,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN2R9-25YLC/SOT669/LFPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PSMN2R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 517A; 92W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Pulsed drain current: 517A Power dissipation: 92W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
PSMN2R9-25YLC,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| PSMN2R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PSMN2R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PSMN2R9-25YLC/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN2R9-25YLC/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PSMN2R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 517A; 92W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 517A
Power dissipation: 92W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 517A; 92W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 517A
Power dissipation: 92W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PSMN2R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.





