PSMN3R0-30YLDX

PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc.


PSMN3R0-30YLD.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 31500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.35 грн
3000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN3R0-30YLDX за ціною від 24.54 грн до 84.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.94 грн
200+38.46 грн
500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 33086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.78 грн
10+46.08 грн
100+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : Nexperia 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+72.00 грн
242+50.63 грн
275+44.52 грн
500+33.42 грн
1000+29.56 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : Nexperia PSMN3R0-30YLD.pdf MOSFETs N-channel 60 V 3.2 mohm standard level MOSFET in D2PAK
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.76 грн
10+52.93 грн
100+31.48 грн
500+30.81 грн
1000+29.91 грн
1500+24.99 грн
3000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.51 грн
14+60.83 грн
50+51.21 грн
200+38.54 грн
500+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : Nexperia 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : Nexperia 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN3R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX Виробник : NEXPERIA PSMN3R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.