Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R0-30YLDX
PSMN3R0-30YLDX

PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-30YLD.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+32.41 грн
3000+28.81 грн
4500+27.59 грн
7500+24.60 грн
10500+23.84 грн
15000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 91W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Інші пропозиції PSMN3R0-30YLDX за ціною від 17.74 грн до 211.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia PSMN3R0-30YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.18 грн
10+55.57 грн
100+31.56 грн
500+24.30 грн
1000+22.00 грн
1500+19.90 грн
3000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc. PSMN3R0-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 29581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+68.61 грн
100+45.77 грн
500+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003059382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.00 грн
10+101.83 грн
50+80.81 грн
200+58.70 грн
500+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf
PSMN3R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX 1729110690915222psmn3r0-30yld.pdf
PSMN3R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLD.pdf
PSMN3R0-30YLDX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+79.18 грн
10+55.57 грн
100+31.56 грн
500+24.30 грн
1000+22.00 грн
1500+19.90 грн
3000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-30YLD.pdf
PSMN3R0-30YLDX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 29581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+68.61 грн
100+45.77 грн
500+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDX NEXP-S-A0003059382-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN3R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+211.00 грн
10+101.83 грн
50+80.81 грн
200+58.70 грн
500+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.