PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 27.67 грн |
| 3000+ | 26.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 91W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN3R0-30YLDX за ціною від 24.83 грн до 85.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V |
на замовлення 33086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 60 V 3.2 mohm standard level MOSFET in D2PAK |
на замовлення 3976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 91W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PSMN3R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PSMN3R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Pulsed drain current: 512A Power dissipation: 91W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PSMN3R0-30YLDX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Pulsed drain current: 512A Power dissipation: 91W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |