Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R0-60BS,118
PSMN3R0-60BS,118

PSMN3R0-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-60BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R0-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PSMN3R0-60BS,118 за ціною від 104.98 грн до 328.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+116.19 грн
500+111.09 грн
1000+104.98 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+117.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Виробник : Nexperia 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R0-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.96 грн
10+208.77 грн
100+147.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Виробник : NEXPERIA 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN3R0-60BS.pdf PSMN3R0-60BS.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Виробник : Nexperia PSMN3R0-60BS.pdf MOSFETs PSMN3R0-60BS/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.