Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R0-60BS,118
PSMN3R0-60BS,118

PSMN3R0-60BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-60BS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+116.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R0-60BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PSMN3R0-60BS,118 за ціною від 134.52 грн до 320.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Nexperia 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Nexperia 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Nexperia 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+249.87 грн
500+236.90 грн
1000+223.94 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R0-60BS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.58 грн
10+203.26 грн
50+157.95 грн
100+134.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf
PSMN3R0-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf
PSMN3R0-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 3270590049850612psmn3r0-60bs.pdf
PSMN3R0-60BS,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
142+249.87 грн
500+236.90 грн
1000+223.94 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60BS.pdf
PSMN3R0-60BS,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.58 грн
10+203.26 грн
50+157.95 грн
100+134.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.