PSMN3R0-60PS,127 NXP Semiconductors
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 190+ | 161.03 грн |
| 500+ | 153.90 грн |
| 1000+ | 145.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R0-60PS,127 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції PSMN3R0-60PS,127 за ціною від 88.82 грн до 335.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 306W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 824A Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 306W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 130nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 824A Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
PSMN3R0-60PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN3R0-60PS/SOT78/SIL3P |
товару немає в наявності |