PSMN3R2-40YLDX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R2-40YLDX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 115W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.
Інші пропозиції PSMN3R2-40YLDX за ціною від 26.60 грн до 225.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN3R2-40YLDX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) FET Feature: Schottky Diode (Body) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN3R2-40YLDX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A |
на замовлення 11899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN3R2-40YLDX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 115W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PSMN3R2-40YLDX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.91 грн |
| 10+ | 80.56 грн |
| 100+ | 62.69 грн |
| 500+ | 49.87 грн |
| PSMN3R2-40YLDX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 11899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.38 грн |
| 10+ | 75.24 грн |
| 50+ | 48.60 грн |
| 100+ | 43.08 грн |
| 1500+ | 28.98 грн |
| 3000+ | 26.67 грн |
| 4500+ | 26.60 грн |
| PSMN3R2-40YLDX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.66 грн |
| 10+ | 145.01 грн |
| 100+ | 90.43 грн |
| 500+ | 69.67 грн |