Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R3-100SSFJ
PSMN3R3-100SSFJ

PSMN3R3-100SSFJ Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-100SSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.33 грн
10+204.53 грн
100+170.74 грн
500+156.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-100SSFJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN3R3-100SSFJ за ціною від 119.27 грн до 363.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R3-100SSFJ PSMN3R3-100SSFJ Виробник : Nexperia PSMN3R3-100SSF.pdf MOSFETs NextPower 100 V, 3.3 mOhm, 180 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.73 грн
10+237.87 грн
100+161.55 грн
500+143.43 грн
1000+141.17 грн
2000+119.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJ Виробник : NEXPERIA psmn3r3-100ssf.pdf NextPower 100 V, 3.3 m, 190 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJ PSMN3R3-100SSFJ Виробник : Nexperia psmn3r3-100ssf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJ PSMN3R3-100SSFJ Виробник : Nexperia psmn3r3-100ssf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJ PSMN3R3-100SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-100SSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.