PSMN3R3-40MLHX

PSMN3R3-40MLHX Nexperia USA Inc.


PSMN3R3-40MLH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-40MLHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN3R3-40MLHX за ціною від 29.58 грн до 105.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R3-40MLHX PSMN3R3-40MLHX Виробник : Nexperia PSMN3R3-40MLH-1799863.pdf MOSFETs PSMN3R3-40MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.32 грн
10+80.85 грн
100+54.38 грн
500+46.16 грн
1000+32.37 грн
1500+30.38 грн
3000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX PSMN3R3-40MLHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40MLH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.59 грн
10+67.35 грн
100+48.28 грн
500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX PSMN3R3-40MLHX Виробник : Nexperia psmn3r3-40mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX PSMN3R3-40MLHX Виробник : Nexperia psmn3r3-40mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX Виробник : NEXPERIA psmn3r3-40mlh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX Виробник : NEXPERIA PSMN3R3-40MLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHX Виробник : NEXPERIA PSMN3R3-40MLH.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.