Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R3-40MSHX
PSMN3R3-40MSHX

PSMN3R3-40MSHX Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40MSH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-40MSHX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PSMN3R3-40MSHX за ціною від 37.58 грн до 110.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R3-40MSHX PSMN3R3-40MSHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40MSH.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.38 грн
10+71.33 грн
100+55.39 грн
500+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MSHX PSMN3R3-40MSHX Виробник : Nexperia PSMN3R3-40MSH-1799873.pdf MOSFET PSMN3R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.45 грн
10+89.46 грн
100+60.77 грн
500+51.45 грн
1000+41.98 грн
1500+39.48 грн
3000+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MSHX PSMN3R3-40MSHX Виробник : Nexperia psmn3r3-40msh.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.