Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R3-40YS,115
PSMN3R3-40YS,115

PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 117W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN3R3-40YS,115 за ціною від 36.91 грн до 144.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.51 грн
500+44.65 грн
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
на замовлення 19223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.82 грн
10+78.36 грн
100+52.68 грн
500+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+137.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.08 грн
10+92.21 грн
100+60.51 грн
500+44.65 грн
1000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : NEXPERIA 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN3R3-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Виробник : Nexperia PSMN3R3_40YS-2939037.pdf MOSFET PSMN3R3-40YS/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN3R3-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.