Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R3-40YS,115
PSMN3R3-40YS,115

PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+39.37 грн
3000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 117W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm.

Інші пропозиції PSMN3R3-40YS,115 за ціною від 40.82 грн до 133.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Nexperia 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+81.74 грн
100+54.98 грн
500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf
PSMN3R3-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf
PSMN3R3-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+47.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf
PSMN3R3-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 4380907712233502psmn3r3-40ys.pdf
PSMN3R3-40YS,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+48.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-40YS.pdf
PSMN3R3-40YS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.58 грн
10+81.74 грн
100+54.98 грн
500+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 NEXP-S-A0003059687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN3R3-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115 NEXP-S-A0003059687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN3R3-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.