Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R3-80BS,118
PSMN3R3-80BS,118

PSMN3R3-80BS,118 Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-80BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.29 грн
1600+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN3R3-80BS,118 за ціною від 94.49 грн до 312.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : NXP Semiconductors 3008095745251840psmn3r3-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+246.07 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : Nexperia PSMN3R3-80BS.pdf MOSFETs PSMN3R3-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.79 грн
10+203.96 грн
50+144.06 грн
100+130.89 грн
200+128.57 грн
500+111.53 грн
800+94.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 6719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.50 грн
10+197.09 грн
50+152.43 грн
100+129.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : NEXPERIA 3008095745251840psmn3r3-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : Nexperia 3008095745251840psmn3r3-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.