PSMN3R3-80BS,118

PSMN3R3-80BS,118 Nexperia USA Inc.


PSMN3R3-80BS.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-80BS,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 306W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN3R3-80BS,118 за ціною від 93.43 грн до 254.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80BS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.56 грн
10+171.12 грн
100+131.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : Nexperia PSMN3R3-80BS.pdf MOSFETs PSMN3R3-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.91 грн
10+176.82 грн
100+118.44 грн
250+116.24 грн
500+111.82 грн
800+94.17 грн
4800+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : NEXPERIA 3008095745251840psmn3r3-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 PSMN3R3-80BS,118 Виробник : Nexperia 3008095745251840psmn3r3-80bs.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN3R3-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118 Виробник : NEXPERIA PSMN3R3-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.