
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
167+ | 183.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R3-80PS,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 338W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN3R3-80PS,127 за ціною від 131.44 грн до 385.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN3R3-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R3-80PS,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 338W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R3-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R3-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 830A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 139nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN3R3-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 830A; 338W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 830A Power dissipation: 338W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 139nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |