Продукція > NEXPERIA > PSMN3R3-80YSFX
PSMN3R3-80YSFX

PSMN3R3-80YSFX NEXPERIA

4190483.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.91 грн
500+50.84 грн
1000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R3-80YSFX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN3R3-80YSFX за ціною від 40.07 грн до 140.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R3-80YSFX PSMN3R3-80YSFX Виробник : NEXPERIA 4190483.pdf Description: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.08 грн
10+96.33 грн
100+68.91 грн
500+50.84 грн
1000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFX PSMN3R3-80YSFX Виробник : Nexperia PSMN3R3-80YSF.pdf MOSFETs PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.43 грн
10+98.75 грн
100+61.13 грн
500+48.58 грн
1000+45.94 грн
1500+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFX PSMN3R3-80YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80YSF.pdf Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.52 грн
10+89.14 грн
100+60.30 грн
500+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFX PSMN3R3-80YSFX Виробник : Nexperia psmn3r3-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFX PSMN3R3-80YSFX Виробник : Nexperia psmn3r3-80ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFX PSMN3R3-80YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80YSF.pdf Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.