PSMN3R3-80YSFX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.47 грн |
| 500+ | 52.84 грн |
| 1000+ | 48.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R3-80YSFX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 254W, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PSMN3R3-80YSFX за ціною від 39.03 грн до 159.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN3R3-80YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN3R3-80YSFX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NextPower 80 V, 3.1 mOhm, 160 A, N-channel MOSFET in LFPAK56 package |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN3R3-80YSFX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN3R3-80YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN3R3-80YSFX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PSMN3R3-80YSFX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |