PSMN3R4-30BL,118

PSMN3R4-30BL,118 Nexperia USA Inc.


PSMN3R4-30BL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R4-30BL,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN3R4-30BL,118 за ціною від 67.67 грн до 67.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN3R4-30BL,118 Виробник : NXP PHGLS24329-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - PSMN3R4-30BL,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BL,118 Виробник : NEXPERIA 3012784557151663psmn3r4-30bl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118 Виробник : NEXPERIA PSMN3R4-30BL.pdf PSMN3R4-30BL.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BL,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R4-30BL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118 PSMN3R4-30BL,118 Виробник : Nexperia PSMN3R4-30BL-1600423.pdf MOSFET Std N-chanMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.