Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN3R4-30BLE,118
PSMN3R4-30BLE,118

PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia USA Inc.

PSMN3R4-30BLE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+74.52 грн
1600+66.66 грн
2400+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 178W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN3R4-30BLE,118 за ціною від 57.64 грн до 216.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia PSMN3R4-30BLE.pdf MOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+84.95 грн
100+68.27 грн
500+65.93 грн
800+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia 3013340685069556psmn3r4-30ble.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+119.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia 3013340685069556psmn3r4-30ble.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+166.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia 3013340685069556psmn3r4-30ble.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.17 грн
500+205.54 грн
1000+193.72 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R4-30BLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+135.29 грн
100+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE.pdf
PSMN3R4-30BLE,118
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.43 грн
10+84.95 грн
100+68.27 грн
500+65.93 грн
800+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 3013340685069556psmn3r4-30ble.pdf
PSMN3R4-30BLE,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+119.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 3013340685069556psmn3r4-30ble.pdf
PSMN3R4-30BLE,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+166.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 3013340685069556psmn3r4-30ble.pdf
PSMN3R4-30BLE,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+216.17 грн
500+205.54 грн
1000+193.72 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118 PSMN3R4-30BLE.pdf
PSMN3R4-30BLE,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.68 грн
10+135.29 грн
100+93.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.