PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 68.32 грн |
| 1600+ | 64.61 грн |
| 2400+ | 64.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 178W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN3R4-30BLE,118 за ціною від 63.03 грн до 117.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN3R4-30BLE,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A |
на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN3R4-30BLE,118 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V |
на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN3R4-30BLE,118 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
PSMN3R4-30BLE,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
PSMN3R4-30BLE,118 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |

